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[检测百科]分享：GaN外延材料及其自供电紫外光电探测器研究进展2024年05月11日 13:04: 目前紫外光电探测器的主流仍为硅（Si）基探测器；Si作为一种间接带隙半导体（带隙约为1.12 eV），截止波长约为1100 nm，本征吸收不在紫外波段，故Si基紫外光电探测器需加装滤光片才能实现高效紫外探测[2]。相比之下，新兴的氮化镓（GaN）材料作为一种直接带隙半导体，具有更宽的带隙（约为3.4 eV）和更好的载流子分离能力，突破了Si材料的物理极限[3?5]。; 阅读（2）标签：